GaAs[1]是重要的化合物半導體材料，用來制作微波集成電路、紅外線發光二極管、半導體激光器[2]、紅外探測[3]和太陽能電池等元件。GaAs單晶基片也應用于制備成納米結構的GaAs結構，如GaAs納米線陣列[4]、GaAs納米錐陣列[5]等。
|
生長方法
|
垂直梯度凝固法(VGF)LEC HB
|
|
晶體結構
|
閃鋅礦型結構
|
|
晶格常數（nm）
|
0.5653
|
|
晶向
|
（100）、（111）
|
|
摻雜程度
|
|
|
摻雜元素
|
不摻雜
|
摻Zn
|
摻Si
|
|
導電類型
|
半絕緣
|
P
|
N
|
|
帶隙（eV）
|
1.4
|
|
電阻率（Ω·cm）
|
|
|
|
|
遷移率(cm2/(v·s))
|
|
|
|
|
載流子濃度（/cm3）
|
|
|
>5×1017
|
|
位錯密度（EPD）（/cm2）
|
<5×105
|
|
尺寸
|
2寸3寸4寸6寸可按照客戶需求，定制特殊方向和尺寸的襯底
|
|
表面
|
單拋片、雙拋片或切割片
|
|
厚度(um)
|
|
|
TTV (Total ThicknessVariation)
|
|
|
TIR (Total IndicatedReading)
|
|
|
Bow
|
|
|
Warp
|
|
單質