GaSb單晶是的晶格常數與帶隙在0.8~4.3um光譜范圍內的各種三元、四元和III-V族化合物固熔體的晶格常數匹配，所以 GaSb可以作為襯底材料適合用作制備某些紅外光纖傳輸的激光器和探測器，GaSb的晶格限制遷移率大于GaAs，使得它在制作微波器件方面具有潛在的應用前景。
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生長方法
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液封提拉法LEC
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晶體結構
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立方
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晶格常數(nm)
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0.609
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晶向
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、、±0.5o、或特殊方向
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摻雜程度
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輕摻、中摻、重摻
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摻雜元素
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不摻雜
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摻Te
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摻Te
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摻Zn
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導電類型
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P
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P-
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N
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N-
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P+
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帶隙（eV）
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0.75
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電阻率（Ω·cm）
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遷移率(cm2/(v·s))
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載流子密度（/cm3）
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1~2×1017
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1~5×1016
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2~6×1017
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1~5×1016
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1~5×1018
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位錯密度（EPD）（/cm2）
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<5×104
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尺寸
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Φ3″×0.5、Φ2″×0.5,可按照客戶需求，定制特殊方向和尺寸
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表面
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單拋片、雙拋片或者切割片
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厚度(um)
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500，厚度公差+-10um，可定制
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TTV (Total Thickness
Variation)
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TIR (Total Indicated
Reading)
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Bow
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Warp
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包裝
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100級潔凈袋，1000級超凈室
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單質