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產(chǎn)品中心
材料
半導(dǎo)體單晶
發(fā)布時間 ： 2015-10-19 瀏覽次數(shù) ： 9538

半導(dǎo)體單晶                                                                                    咨詢報價

Crystal Doping Type Carrier Concentr
[cm-3] 		EPD
[cm-2] 		Growth Technique &
Diameter 		Info
GaAs
砷化鎵單晶 		None
Si
Cr
Te
Zn 		SI
N
SI
N
P 		/
1017 ... 1019
/
1017 ... 1019
1017 ... 1019 		< 1x105 CZ, LEC &
HB
?3"
GaP
磷化鎵單晶 		S
Te
Zn 		N
N
P 		1017 ... 3x1018
1017 ... 3x1018
1017 ... 5x1018 		< 105 CZ & LEC
?50mm
GaSb
銻化鎵單晶 		None
Zn
Te
Hi-R
Hi-R 		P
P+
N
P
N 		2x1016
1-5x1018
2-6x1017
1-5x1016
1-5x1016 		< 103 CZ & LEC
?3"
Ge
鍺單晶 		None
Sb 		P
N 		< 5x103 CZ/Br
?1" - ?4"
InAs
砷化銦單晶 		None N 1-2x1016 < 5x104

LEC
?30mm

InP
磷化銦單晶 		None
Sn
S
Fe
Zn 		N
N
N
SI
P 		1-2x1016
1-3x1018
1-4x1018
/
0.6-4x1018 		< 5x104 LEC
?2"
Si
硅單晶 		None
B
As
P
Sb
P
N
N
N 		CZ/FZ
?2" - ?6"
CdS
硫化鎘單晶 		None Markov
?2" 		詳情
CdSe
硒化鎘單晶 		None Markov
?2" 		詳情
CdTe
碲化鎘單晶 		None Br 詳情
ZnS
硫化鋅單晶 		None Markov
?30mm 		詳情
ZnSe
硒化鋅單晶 		None Markov
?30mm 		詳情
ZnTe
碲化鋅單晶 		None Markov
?30mm 		詳情


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