特點
第一布里淵區為截角八面體，導帶極小值位于布里淵區中心，電子有效質量為0.077m，m為電子慣性質量；價帶極大值位于布里淵區中心，空穴有效質量約0.8m，是直接帶隙半導體。室溫時，禁帶寬度為1.34eV。較純晶體電子和空穴遷移率分別為0.46m2/(V·S)和1.5×10-2m2/(V·S)。摻入II族、IV族或Ⅵ族原子可制成P型或n型材料。本征載流子濃度1.0×1020/m3，本征電阻率8×10-4Ω·m。590nm光的折射率為3.45。其熔點1070℃，可用區域熔煉或直拉法制備單晶；用擴散、離子注入、外延、蒸發等方法制備p-n結、異質結、肖特基結；用分子束外延、金屬有機物化學氣相淀積方法可制備超晶格材料。是制備長波長(1.3～1.6μm)InGaAsP激光器的襯底材料。
主要用途
InP已經成為非常重要的半導體材料之一，主要應用于光電子技術和微波技術領域，而另一大有發展前途的應用領域是太陽能動力技術。
制備方法
磷化銦單晶的制備操作步驟包括如下兩道：
(1)合成磷化銦多晶。合成操作是讓高純的磷蒸氣與熔融高純銦直接發生作用，多采用水平定向結晶法和區域熔煉法。
(2)制備摻雜磷化銦單晶。一般采用高壓溶液提拉法，是將盛有磷化銦多晶的石英坩堝置于高壓設備內進行，用電阻絲或高頻加熱，惰性氣體保護(壓力3×106Pa)下讓晶體生長。為了提高InP單晶質量，降低位錯密度，可通過摻雜(如Sn、S、Zn、Fe、Ga、Sb等)以減少位錯。摻雜是往多晶中放人中間摻人物，使之在熔融和結晶過程中得予擴散實現。
供應磷化銦晶片、磷化銦單晶、磷化銦晶圓襯底和外延片供應廠商_深圳泛美金屬公司18928450898。
行業動態
