單層過渡金屬硫族化合物作為新的二維半導體材料，因其獨特的光電特性近年來受到持續的關注。特別是二維材料激子的束縛能可達幾百個毫電子伏，使得實驗觀測室溫激子效應成為可能。
二維材料層間耦合是弱的范德瓦爾斯力，因此可以將不同的二維材料堆垛組成范德瓦爾斯異質結，避免了傳統半導體異質結晶格匹配的限制條件。特別是由不同的過渡金屬硫族化合物堆垛組成范德瓦爾斯異質結表現出Ⅱ型電子結構，電子空穴會自動分離而形成壽命很長的層間激子，近期的實驗觀測證實了這一點。
激子作為電中性的玻色子，實驗上很難用電場和磁場來操控它的運動。中科院半導體所半導體超晶格國家重點實驗室常凱研究小組利用量子光學的辦法，通過兩束光耦合層間激子內部的三能級系統，利用玻恩-奧本海默近似，可以演生出作用在激子的質心運動上的附加規范場項，相當于激子處在有效磁場中運動。而處在兩個不同內部態(贗自旋)上的激子，規范場大小相同，符號相反，等價于相反自旋的激子處在相反的磁場下運動。這樣，能夠將不同自旋態的激子空間分離，即實現激子的自旋霍爾效應。
近年來，自旋霍爾效應在實驗上和理論上已有了廣泛的研究，人們將自旋霍爾效應推廣到光子和冷原子體系，而該工作則將其推廣到中性的固態元激發-激子體系，對于深入研究激子的新奇物理效應提供了新的手段。
文章發表在《物理評論快報》Yun-Mei Li, Jian Li, Li-Kun Shi,
Dong Zhang, Wen Yang, and Kai Chang, Light-Induced Exciton Spin Hall Effect in
van der Waals Heterostructures, Physical Review Letters 115,
166804 (2015). 文章鏈接：http://journals.aps.org/prl/abstract/10.1103/PhysRevLett.115.166804
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